Datasheet BSP296 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, LOGIC, SOT-223 — Даташит

Купить BSP296 на РадиоЛоцман.Цены — от 8.72 до 74 ₽ 48 предложений от 25 поставщиков Труба MOS, Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 100V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4
ЧипСити Россия	BSP296N H6327 Infineon	42 ₽	Купить
Элрус Россия	BSP296NH6327 Infineon	от 44 ₽	Купить
Берёзка Электронные Компоненты Россия	BSP296NH6327 Infineon	от 46 ₽	Купить
Augswan Весь мир	BSP296NH6327 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, LOGIC, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Rev.

1.3
BSP296
SIPMOS Small-Signal-Transistor
Feature · N-Channel · Enhancement mode · Logic Level · dv/dt rated
Product Summary

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 1 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 800 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 1.4 В
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 4
• Current Id Max: 1 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 7.3 мм
• Внешняя длина / высота: 1.7 мм
• Внешняя ширина: 6.7 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 1.8 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.8 Вт
• Pulse Current Idm: 4 А
• SMD Marking: BSP 296
• Ширина ленты: 12 мм
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.4 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE901