Datasheet BSP298 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, SOT-223 — Даташит

Купить BSP298 на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 3 276 ₽ 34 предложений от 22 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 400V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, SOT-223, 4 PIN
Элрус Россия	BSP298H6327 Infineon	от 116 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	BSP298H6327 Infineon	по запросу	Купить
727GS Весь мир	BSP298 L6327 Infineon	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	BSP298 L6327 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSP 298
SIPMOS ® Small-Signal Transistor
· N channel · Enhancement mode · Avalanche rated · VGS(th)= 2.1 ...

4.0 V · Pb-free lead plating; RoHS compliant Pin 1 G Pin 2 D Pin 3 S Pin 4 D
Type
Package

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 500 мА
• Drain Source Voltage Vds: 400 В
• On Resistance Rds(on): 3 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 500 мА
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 7.3 мм
• Внешняя длина / высота: 1.7 мм
• Внешняя ширина: 6.7 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 1.8 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.8 Вт
• Pulse Current Idm: 2 А
• SMD Marking: BSP298
• Ширина ленты: 12 мм
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds Typ: 400 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В

RoHS: есть