Datasheet BSP299 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, LOGIC, SOT-223 — Даташит
Наименование модели: BSP299
![]() 23 предложений от 18 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4 | |||
BSP299 H6327 Infineon | от 35 ₽ | ||
BSP299-VB | 142 ₽ | ||
BSP299E6327 Infineon | по запросу | ||
BSP299 - Infineon Technologies Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, LOGIC, SOT-223
Краткое содержание документа:
BSP 299
SIPMOS ® Small-Signal Transistor · N channel · Enhancement mode · Avalanche rated · VGS(th)= 2.1 ...
4.0 V Pin 1 G Pin 2 D Pin 3 S Pin 4 D
Type BSP 299 Type BSP 299
VDS
500 V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 400 мА
- Drain Source Voltage Vds: 500 В
- On Resistance Rds(on): 4 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 3 В
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 4
- Current Id Max: 400 мА
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 7.3 мм
- Внешняя длина / высота: 1.7 мм
- Внешняя ширина: 6.7 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOT-223
- Power Dissipation Pd: 1.8 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 1.8 Вт
- Pulse Current Idm: 1.6 А
- SMD Marking: BSP 299
- Ширина ленты: 12 мм
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Voltage Vds Typ: 500 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- LICEFA - V11-7
- Roth Elektronik - RE901