Datasheet BSP299L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, LOGIC, REEL 1K — Даташит

Купить BSP299L6327 на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 111 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4
Кремний Россия и страны СНГ	BSP299L6327 Infineon	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	BSP299L6327 Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	BSP299L6327 Infineon	по запросу	Купить
727GS Весь мир	BSP299L6327 Rochester Electronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, LOGIC, REEL 1K

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSP 299
SIPMOS ® Small-Signal Transistor · N channel · Enhancement mode · Avalanche rated · VGS(th)= 2.1 ...

4.0 V Pin 1 G Pin 2 D Pin 3 S Pin 4 D
Type BSP 299 Type BSP 299
VDS
500 V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 400 мА
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On Resistance Rds(on): 4 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: 400 мА
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 7.3 мм
• Внешняя длина / высота: 1.7 мм
• Внешняя ширина: 6.7 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-223
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.8 Вт
• Pulse Current Idm: 1.6 А
• Количество приборов в упаковке (ленте): 1000
• SMD Marking: BSP 299
• Ширина ленты: 12 мм
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В

RoHS: есть