Datasheet BSP315P - Infineon Даташит Полевой транзистор, P, LOGIC, SOT-223 — Даташит

Купить BSP315P на РадиоЛоцман.Цены — от 18 до 120 ₽ 30 предложений от 19 поставщиков Биполярные транзисторы - BJT TRANS MED PWR TAPE-7
T-electron Россия и страны СНГ	BSP315P Infineon	23 ₽	Купить
727GS Весь мир	BSP315P H6327 Infineon	от 35 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	BSP315P H6327 Infineon	44 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	BSP315P L6327 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P, LOGIC, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSP 315 P SIPMOS ® Small-Signal-Transistor
Features · P-Channel
·
Product Summary Drain source voltage Continuous drain current
VDS ID

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 1.17 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 800 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Voltage Vgs Max: -1.5 В
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 4
• Current Id Max: 1.17 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 7.3 мм
• Внешняя длина / высота: 1.7 мм
• Внешняя ширина: 6.7 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 1.8 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.8 Вт
• Pulse Current Idm: 4.68 А
• SMD Marking: BSP315P
• Ширина ленты: 12 мм
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1.5 В
• Voltage Vds Typ: -60 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
• Voltage Vgs th Max: -2 В

RoHS: есть