Datasheet BSS159N E6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит

Infineon BSS159N E6327

Наименование модели: BSS159N E6327

Купить BSS159N E6327 на РадиоЛоцман.Цены 5 предложений от 5 поставщиков Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
ChipWorker Весь мир	BSS159NE6327T Infineon	14 ₽
AiPCBA Весь мир	BSS159NE6327T Infineon	14 ₽
LifeElectronics Россия	BSS159NE6327 Infineon	по запросу
TradeElectronics Россия	BSS159NE6327-Q67042S4 Infineon	по запросу

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSS159N
SIPMOS® Small-Signal-Transistor
Features · N-channel · Depletion mode · dv /dt rated · Available with V GS(th) indicator on reel · Pb-free lead-plating; RoHS compliant
Product Summary V DS R DS(on),max I DSS,min 60 8 0.13 V A
SOT-23

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 230 мА
Drain Source Voltage Vds: 60 В
On Resistance Rds(on): 3.5 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: SOT-23
Количество выводов: 3
Current Id Max: 230 мА
Тип корпуса: SOT-23
Power Dissipation Pd: 360 мВт
Способ монтажа: SMD
Threshold Voltage Vgs Typ: -2.8 В
Voltage Vds: 60 В
Voltage Vds Typ: 60 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
Voltage Vgs th Min: -3.5 В

RoHS: есть