Datasheet BSS84P - Infineon Даташит Полевой транзистор, P, SOT-23 — Даташит

Купить BSS84P на РадиоЛоцман.Цены — от 1.10 до 15 ₽ 38 предложений от 23 поставщиков Транзистор биполярный SMD P-Ch 60V 0,17A 0,36W 8R
Зенер Россия и страны ТС	BSS84P H6327	от 3.05 ₽	Купить
ЭИК Россия	BSS84P L6327 Infineon	от 15 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	BSS84P(SOT-23) Fairchild	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	BSS84P E6327 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSS 84 P SIPMOS Small-Signal-Transistor
Feature
Product Summary VDS RDS(on) ID
3
· P-Channel · Enhancement mode · Logic Level · Avalanche rated · dv/dt rated

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 170 мА
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 8 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Voltage Vgs Max: -1.5 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 2.6mJ
• Capacitance Ciss Typ: 19 пФ
• Current Id Max: 170 мА
• Current Idss Max: 1 мкА
• Current Temperature: 25°C
• Маркировка: BSS84P
• External Depth: 2.5 мм
• Внешняя длина / высота: 1.12 мм
• Внешняя ширина: 3.05 мм
• Fall Time tf: 34 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 12 Ом
• On State resistance @ Vgs = 10V: 8 Ом
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 360 мВт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 360 мВт
• Pulse Current Idm: 680 мА
• Rate of Voltage Change dv / dt: 6kV/µs
• Repetitive Avalanche Energy Max: 0.036mJ
• Reverse Recovery Time trr Typ: 23 нс
• Rise Time: 9 нс

RoHS: есть