Datasheet BSZ050N03MS G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 А, 30 В, PG-TSDSON-8 — Даташит
Наименование модели: BSZ050N03MS G
Купить BSZ050N03MS G на РадиоЛоцман.Цены — от 57 до 3 066 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков OptiMOSâ¢3 M-Series Power-MOSFET | |||
| BSZ050N03MSG Infineon | 57 ₽ | ||
| BSZ050N03MSG Infineon | 60 ₽ | ||
| BSZ050N03MSG Infineon | по запросу | ||
| BSZ050N03MSG | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 А, 30 В, PG-TSDSON-8
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
BSZ050N03MS G
!"#$%!&TM3 M-Series Power-MOSFET
Features · Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) · Low FOMSW for High Frequency SMPS · 100% avalanche tested · N-channel · Very low on-resistance R DS(on) @ V GS=4.5 V · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Superior thermal resistance · Pb-free plating; RoHS compliant · Halogen-free according to IEC61249-2-21 Type BSZ050N03MS G Package PG-TSDSON-8 Marking 050N03M
Product Summary V DS R DS(on),max V GS=10 V V GS=4.5 V ID 30 4.5 5.7 40 PG-TSDSON-8 A V mW
Maximum ratings, at T j=25 ° unless otherwise specified C, Parameter Continuous drain current Symbol Conditions ID V GS=10 V, T C=25 ° C V GS=10 V, T C=100 ° C V GS=4.5 V, T C=25 ° C V GS=4.5 V, T C=100 ° C V GS=4.5 V, T A=25 ° C, R thJA=60 K/W 2) Pulsed drain current3) Avalanche current, single pulse4) Avalanche energy, single pulse Gate source voltage
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 3.8 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: PG-TSDSON
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 40 А
- Power Dissipation Pd: 48 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть
