Datasheet IPB009N03L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 180 А, 30 В, PG-TO263-7 — Даташит

Infineon IPB009N03L G

Наименование модели: IPB009N03L G

Купить IPB009N03L G на РадиоЛоцман.Цены — от 213 до 227 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков OptiMOSª3 Power-Transistor, 30V
ЧипСити Россия	IPB009N03LG Infineon	213 ₽
AiPCBA Весь мир	IPB009N03LG Infineon	224 ₽
Acme Chip Весь мир	IPB009N03LG Infineon	по запросу
ЭлектроПласт Россия	IPB009N03LG Infineon	по запросу

Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 180 А, 30 В, PG-TO263-7

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Jf^S
$ "
"%&$!"# $ ;B 1= -: >5 ;= '= >?
6MI[YMZ R ' ) - .

8 ) , ; 3 @6 / @; 7CFBE 7 * AH7C FBB> AC @9 @E C ; 4> J R + F3 >; 3 55AC @9 E $ ; 76 8 6; A R( 5: 3 @@7> R& A9; > 7> 5 7G R/ > 3 > A@C ; E @57 ' 9I"]# E AH C 7DD 3 R G > @5: 7 E E 3 3 7D 76 R * 4877 B> E , A" - 5A? B> @E C 3 ; @9 ; 3
)#

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 700µ Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
Корпус транзистора: TO-263
Количество выводов: 7
Current Id Max: 180 А
Power Dissipation Pd: 250 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть