Datasheet IPB011N04L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 180 А, 40 В, PG-TO263-7 — Даташит

Infineon IPB011N04L G

Наименование модели: IPB011N04L G

Купить IPB011N04L G на РадиоЛоцман.Цены — от 154 до 440 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, OptiMOS3 Power Transistor
ЧипСити Россия	IPB011N04LG Infineon	154 ₽
ChipWorker Весь мир	IPB011N04LG Infineon	166 ₽
ЗУМ-СМД Россия	IPB011N04LG Infineon	187 ₽
Augswan Весь мир	IPB011N04LG Infineon	по запросу

Новое семейство LED-драйверов XLC компании MEAN WELL с дополнительными возможностями диммирования

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 180 А, 40 В, PG-TO263-7

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Jf^S
$ "
"%&$!"#E $ ;B 1= -: >5 ;= '= >?
6MI[YMZ R ' ) - .

8 ) , ; 3 @6 / @; 7CFBE 7 * AH7C FBB> AC @9 @E C ; 4> J R + F3 >; 3 55AC @9 E $ ; 76 8 6; A R( 5: 3 @@7> R& A9; > 7> 5 7G R/ > 3 > A@C ; E @57 ' 9I"]# E AH C 7DD 3
)#

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 40 В
On Resistance Rds(on): 800µ Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
Корпус транзистора: TO-263
Количество выводов: 7
Current Id Max: 180 А
Power Dissipation Pd: 250 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть