Datasheet IPB011N04N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 180 А, 40 В, PG-TO263-7 — Даташит

Купить IPB011N04N G на РадиоЛоцман.Цены — от 130 до 315 ₽ 13 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7Pin TO-263 T/R
Триема Россия	IPB011N04NG-VB	283 ₽	Купить
Элитан Россия	IPB011N04NG Infineon	315 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IPB011N04NG	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IPB011N04NG Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 180 А, 40 В, PG-TO263-7

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Ie]R
#   ! !
"%&$!"#D # : A 0< < & ,9=4 : < =>
6LHZ[XLY Q & ( , - 7 ( + :? 8 2 ? 5 .

? :? D B :3 = ) @G6B EAA= @B 6BEAD 6 , I Q * E2 =:65 2 44@B 8 D $ :7 5:? @ Q' 492 ? ? 6= Q' @B 2 =6F > = 6= Q. = 2 = @? B :C 2 ? 46 ' 9H"[# D @G B 6C D Q F =? 496 B D 2 2 2 65 Q ) 3 766 A=D 8 + @" , 4@> A= ? D B 2 :? :2 Q" 2 = @86? 766 2 44@B 8 D # B 5:? @
)#

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• On Resistance Rds(on): 850µ Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Корпус транзистора: TO-263
• Количество выводов: 7
• Current Id Max: 180 А
• Power Dissipation Pd: 250 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть