Datasheet IPB015N04L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 120 А, 40 В, PG-TO263-3 — Даташит
Наименование модели: IPB015N04L G
![]() 10 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3Pin TO-263 T/R | |||
IPB015N04LG Infineon | 195 ₽ | ||
IPB015N04LG Infineon | 231 ₽ | ||
IPB015N04LG Infineon | по запросу | ||
IPB015N04LG | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 120 А, 40 В, PG-TO263-3
Краткое содержание документа:
Jg_T
$ "
"%&$!"#E $ ;B 1= -: >5 ;= '= >?
6MI[YMZ S 4E E F A: ' ) - .
9 - ' * F I<6;< BD S ) C< < 87 F F@ L 86;AB?B: K 9 6BAH F E BD 8D8D S + G 9 466BD A: F $ 4?<< 87 7< B S( 6;4AA8? ?B: < ?8H 6 8? S J68??8AF: 4F 6;4D 8 J ' 9I"^]# C B7G ) ' 8 : D 6F S/ 8D ?BI BAD < F K 8EE4A68 ' 9I"^]# S H 4?4A6;8 D 87 4F S * 5988 C < , B" - 6B@ C 4AF D ?4FA: ?< S " 4?B: 8A988 466BD A: F #
D 7< B
)#
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 1.2 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: TO-263
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 120 А
- Power Dissipation Pd: 250 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть