Datasheet IPB015N04N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 120 А, 40 В, PG-TO263-3 — Даташит

Infineon IPB015N04N G

Наименование модели: IPB015N04N G

Купить IPB015N04N G на РадиоЛоцман.Цены — от 386 до 504 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3Pin TO-263 T/R
ЧипСити Россия	IPB015N04NG Infineon	386 ₽
AiPCBA Весь мир	IPB015N04NG Infineon	406 ₽
ChipWorker Весь мир	IPB015N04NG Infineon	412 ₽
ЗУМ-СМД Россия	IPB015N04NG Infineon	по запросу

Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 120 А, 40 В, PG-TO263-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
If^S
# # ! ! # ! !
"%&$!"#D # : A 0< < & ,9=4 : < =>
6LHZ[XLY R 3 D D E ; & ( , - 8 ,& ), E H;5: @9 AC R ( B; ; 76 E @A> 8 5A@G E D E? K 75: A9J AC 7C7C R * F >; 3 55AC @9 E $ 3 ; 76 8 6; A R' 5: 3 @@7> @AC 3 >7G ? > 7> R I57> 93 E 5: 3 C I ' 9H"]# B A6F ( & > 7@E 7 97 C 5E R.

7C > A@C ; E @57 ' 9H"]# J AH 7DD3 R G > @5: 7 E E 3 3 7D76 R ) 4877 B3 E@9 + A" , 5A? B; @E C >; > 3 R" 3 > A97@877 3 55AC @9 E # C 6; A B_WL #) ' ' ! #) ) ' ' !
)#

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 40 В
On Resistance Rds(on): 1.2 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
Корпус транзистора: TO-263
Количество выводов: 3
Current Id Max: 120 А
Power Dissipation Pd: 250 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть