Datasheet IPB017N06N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 180 А, 60 В, PG-TO263-7 — Даташит
Наименование модели: IPB017N06N3 G
![]() 14 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7Pin(6+Tab) TO-263 T/R | |||
IPB017N06N3G Infineon | 179 ₽ | ||
IPB017N06N3G Infineon | от 212 ₽ | ||
IPB017N06N3G | по запросу | ||
IPB017N06N3G Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 180 А, 60 В, PG-TO263-7
Краткое содержание документа:
IeQ
# ! !
"%&$!"#D # : A 0< < & ,9=4 : < =>
6LHZ[XLY Q #451<6 B 78 65AE5>3 I C D89 1>4 C
B
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 1.3 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-263
- Количество выводов: 7
- Current Id Max: 180 А
- Power Dissipation Pd: 250 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть