Datasheet IPB020N04N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 140 А, 40 В, PG-TO263-7 — Даташит
Наименование модели: IPB020N04N G
![]() 8 предложений от 8 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 40V 140A 7Pin TO-263 T/R | |||
IPB020N04NG Infineon | 95 ₽ | ||
IPB020N04NG Infineon | 125 ₽ | ||
IPB020N04NG Infineon | по запросу | ||
IPB020N04NG Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 140 А, 40 В, PG-TO263-7
Краткое содержание документа:
Ie]R
#
! !
"%&$!"# # : A 0< < & ,9=4 : < =>
6LHZ[XLY Q & ( , - 7 ( + :? 8 2 ? 5 .
? :? D B :3 = ) @G6B EAA= @B 6BEAD 6 , I Q * E2 =:65 2 44@B 8 D $ :7 5:? @ Q' 492 ? ? 6= Q' @B 2 =6F > = 6= Q. = 2 = @? B :C 2 ? 46 ' 9H"[# D @G B 6C D Q
F =? 496 D D 2 2 6C 65 Q ) 3 766 A=D 8 + @" , 4@> A= ? D B 2 :? :2 Q" 2 = @86? 766 2 44@B 8 D #
B 5:? @
)#
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 1.7 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: TO-263
- Количество выводов: 7
- Current Id Max: 140 А
- Power Dissipation Pd: 167 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть