Datasheet IPB022N04L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 90 А, 40 В, PG-TO263-3 — Даташит

Купить IPB022N04L G на РадиоЛоцман.Цены — от 21 до 142 ₽ 11 предложений от 10 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN
ChipWorker Весь мир	IPB022N04LG Infineon	22 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IPB022N04LG Infineon	54 ₽	Купить
727GS Весь мир	IPB022N04LG Rochester Electronics	от 66 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	IPB022N04LG Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 90 А, 40 В, PG-TO263-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Type
IPB022N04L G
!"#$%!& 3 Power-Transistor
Features · Fast switching MOSFET for SMPS · Optimized technology for DC/DC converters · Qualified according to JEDEC for target applications · N-channel, logic level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 100% Avalanche tested · Pb-free plating; RoHS compliant · Halogen-free according to IEC61249-2-21 Type IPB022N04L G
1)

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• On Resistance Rds(on): 1.8 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-263
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 90 А
• Power Dissipation Pd: 167 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть