Datasheet IPB023N04N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 90 А, 40 В, PG-TO263-3 — Даташит

Купить IPB023N04N G на РадиоЛоцман.Цены — от 22 до 142 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN
ChipWorker Весь мир	IPB023N04NG Infineon	22 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IPB023N04NG Infineon	57 ₽	Купить
Триема Россия	IPB023N04NG-VB	142 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IPB023N04NG	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 90 А, 40 В, PG-TO263-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Ie]R
IPP023N04N G IPB023N04N G
"%&$!"# 3 Power-Transistor
Features Q & ( , - 7 ( + :? 8 2 ? 5 .

? :? D B :3 = ) @G6B EAA= @B 6BEAD 6 , I Q * E2 =:65 2 44@B 8 D $ :7 5:? @ Q' 492 ? ? 6= Q' @B 2 =6F > = 6= Q. = 2 = @? B :C 2 ? 46 R 9H"[# D @G B 6C D Q   F =? 496 D D 2 2 6C 65 Q ) 3 766 A=D 8 + @" , 4@> A= ? D B 2 :? :2 Q" 2 = @86? 766 2 44@B 8 D # B 5:? @ Type #)  '  ' ! #) )  '  ' !
)#

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• On Resistance Rds(on): 1.9 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Корпус транзистора: TO-263
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 90 А
• Power Dissipation Pd: 167 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть