Datasheet IPB030N08N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 160 А, 80 В, PG-TO263-7 — Даташит

Купить IPB030N08N3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 133 до 355 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 80V 160A 7Pin TO-263 T/R
Элитан Россия	IPB030N08N3G Infineon	355 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IPB030N08N3G	по запросу	Купить
Океан Электроники Россия	IPB030N08N3G Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IPB030N08N3G Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 160 А, 80 В, PG-TO263-7

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB030N08N3 G
"%&$!"# 3 Power-Transistor
Features Q #451<6 B 78 65AE5>3 I C D89 1>4 C
B
? 89 B G9 >7 3 I>3 53 Q ( @D J54 D 8>? < 7I 6 B D B 95 1@@<3 1D >C 9 =9 53 ? ? =? ? 4B F 9 9 ? Q H3 5<5>D 5 3 81B HR 9H"[Z# @B 4E3 D ( & < 71D 75 ? Q.

5B < G ? >B 9D 5 + 9H"[Z# I? 5CC 1>3 Q , E@5B B 85B B 9D 5 9 D =1< 5CC 1>3 ? Q ' 3 81>>5< >? B < 5< =1< 5F Q   1F 1>3 85 D D 1< 5C 54 Q ) 2 655 @< 9 + ? " , 3 ? =@<1>D B 1D >7 9 Q * E1<654 13 3 ? B >7 D $ 9 9 49 ?

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 80 В
• On Resistance Rds(on): 2.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Корпус транзистора: TO-263
• Количество выводов: 7
• Current Id Max: 160 А
• Power Dissipation Pd: 214 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть