Datasheet IPB034N03L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 80 А, 30 В, PG-TO263-3 — Даташит

Купить IPB034N03L G на РадиоЛоцман.Цены — от 41 до 142 ₽ 11 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3Pin TO-263 T/R
Lixinc Electronics Весь мир	IPB034N03LG Infineon	от 66 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IPB034N03LG Infineon	69 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IPB034N03LG	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IPB034N03LG Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 80 А, 30 В, PG-TO263-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Type
IPP034N03L G IPB034N03L G
!"#$%!&TM3 Power-Transistor
Features · Fast switching MOSFET for SMPS · Optimized technology for DC/DC converters · Qualified according to JEDEC1) for target applications · N-channel, logic level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · Avalanche rated · Pb-free plating; RoHS compliant · Halogen-free according to IEC61249-2-21 Type IPP034N03L G IPB034N03L G
Product Summary V DS R DS(on),max ID 30 3.4 80 V mW A

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 2.8 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-263
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 80 А
• Power Dissipation Pd: 94 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть