Datasheet IPB034N06L3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 90 А, 60 В, PG-TO263-3 — Даташит
Наименование модели: IPB034N06L3 G
![]() 7 предложений от 7 поставщиков , OptiMOS3 Power-Transistor | |||
IPB034N06L3G Infineon | 61 ₽ | ||
IPB034N06L3G Infineon | 74 ₽ | ||
IPB034N06L3G Infineon | 78 ₽ | ||
IPB034N06L3G | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 90 А, 60 В, PG-TO263-3
Краткое содержание документа:
Jf]R
IPB034N06L3 G
IPI037N06L3 G IPP037N06L3 G
"%&$!"# 3 Power-Transistor
Features R #562 =@C 7 9:89 76BF6? 4J D 49:? 8 2 ? 5 D 4
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 2.7 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-263
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 90 А
- Power Dissipation Pd: 167 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть