Datasheet IPB037N06N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 90 А, 30 В, PG-TO263-3 — Даташит
Наименование модели: IPB037N06N3 G
![]() 11 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3Pin TO-263 T/R | |||
IPB037N06N3G Infineon | от 67 ₽ | ||
IPB037N06N3G Infineon | от 67 ₽ | ||
IPB037N06N3G Infineon | 194 ₽ | ||
IPB037N06N3G Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 90 А, 30 В, PG-TO263-3
Краткое содержание документа:
IdQ
TM
IPB037N06N3 G
IPI040N06N3 G IPP040N06N3 G
"%&$!"# 3 Power-Transistor
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 3 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-263
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 90 А
- Power Dissipation Pd: 188 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть