Datasheet IPB054N06N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 80 А, 60 В, PG-TO263-3 — Даташит
Наименование модели: IPB054N06N3 G
Купить IPB054N06N3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 43 до 46 ₽ 6 предложений от 6 поставщиков MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 | |||
| IPB054N06N3G Infineon | 43 ₽ | ||
| IPB054N06N3G Infineon | 45 ₽ | ||
| IPB054N06N3G Infineon | по запросу | ||
| IPB054N06N3G | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 80 А, 60 В, PG-TO263-3
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
IeQ
IPB054N06N3 G IPP057N06N3 G
"%&$!"# 3 Power-Transistor
Features Q #451<6 B 78 65AE5>3 I C D89 1>4 C
B
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 4.4 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-263
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 80 А
- Power Dissipation Pd: 115 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть
