Datasheet IPB055N03L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 50 А, 30 В, PG-TO263-3 — Даташит

Купить IPB055N03L G на РадиоЛоцман.Цены — от 30 до 142 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3Pin TO-263 T/R
ChipWorker Весь мир	IPB055N03LG Infineon	30 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IPB055N03LG	по запросу	Купить
LifeElectronics Россия	IPB055N03LG Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IPB055N03LG Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 50 А, 30 В, PG-TO263-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Type
IPP055N03L G IPB055N03L G
!"#$%!&TM3 Power-Transistor
Features · Fast switching MOSFET for SMPS · Optimized technology for DC/DC converters · Qualified according to JEDEC for target applications · N-channel, logic level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · Avalanche rated · Pb-free plating; RoHS compliant · Halogen-free according to IEC61249-2-21 Type IPP055N03L G IPB055N03L G
1)

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 4.6 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-263
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 50 А
• Power Dissipation Pd: 68 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть