Datasheet IPB065N03L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 50 А, TO-263-3 — Даташит
Наименование модели: IPB065N03L G
![]() 8 предложений от 8 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3Pin TO-263 T/R | |||
IPB065N03LG Infineon | 34 ₽ | ||
IPB065N03LG-VB | 142 ₽ | ||
IPB065N03LG Infineon | по запросу | ||
IPB065N03LG Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 50 А, TO-263-3
Краткое содержание документа:
Je]R
% % # ! % # !
"%&$!"# %
7NJ]ZN[ Q 2 C C 49:? 8 ' ) - .
7 - ' * D G:D @B Q ) AD :J65 D :> 649? @= 7 4@? F6B 6B @8I @B D C Q + E =:65 2 44@B 8 D $ 2 :7 5:? @ Q( 492 ? ? 6== @8:4 = 6F6= Q H = D82 D 492 B H' 9I"[# AB 4D ) ' 46= 6? 6 86 @5E Q/ 6B = @? B :C2 ? 46 ' 9I"[# I @G 6C D Q F2 =? 496 B D 2 2 65 Q * 3 766 A=D 8 , @" - 4@> A= ? D B 2 :? :2 Q" 2 = @86? 766 2 44@B 8 D #
B 5:? @ DaYN #* * ( & ! #* ( & !
)#
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 50 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.0054 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 56 Вт
- RoHS: да