Datasheet IPB067N08N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 80 А, 80 В, PG-TO263-3 — Даташит

Купить IPB067N08N3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 70 до 993 ₽ 12 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3Pin TO-263 T/R
ChipWorker Весь мир	IPB067N08N3G Infineon	70 ₽	Купить
727GS Весь мир	IPB067N08N3G Infineon	от 93 ₽	Купить
Элитан Россия	IPB067N08N3G Infineon	993 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IPB067N08N3G MOS Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 80 А, 80 В, PG-TO263-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPP070N08N3 G IPI070N08N3 G IPB067N08N3 G
"%&$!"# 3 Power-Transistor
Features Q #451<6 B 78 65AE5>3 I C D89 1>4 C
B
? 89 B G9 >7 3 I>3 53 Q ( @D J54 D 8>? < 7I 6 B 3 ? >F D C 9 =9 53 ? ? 5B 5B Q H3 5<5>D 5 3 81B HR 9H"[Z# @B 4E3 D ( & < 71D 75 ? Q' 3 81>>5< >? B < 5< =1< 5F Q   1F 1>3 85 D D 1< 5C 54 Q) 2 655 @< 9 + ? " , 3 ? =@<1>D B 1D >7 9 Q* E1<654 13 3 ? B >7 D $ 9 9 49 ?

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 80 В
• On Resistance Rds(on): 5.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-263
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 80 А
• Power Dissipation Pd: 136 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть