Datasheet IPB06CN10N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 А, 100 В, PG-TO263-3 — Даташит

Купить IPB06CN10N G на РадиоЛоцман.Цены 9 предложений от 7 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3
Lixinc Electronics Весь мир	IPB06CN10NG Infineon	от 305 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IPB06CN10NG	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IPB06CN10NG Infineon	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IPB06CN10NG Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 А, 100 В, PG-TO263-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB06CN10N G
IPI06CN10N G IPP06CN10N G
"%&$!"# 2 Power-Transistor
Features R ( 492 ??6= ?@ C == 6= >2 6G R I46=6?E E 492 C IR ;I"[# AC 5F4E ) ' = 82 6 86 @ ! R/ 6C = H @ ?C :D 2 ?46 R ;I"[# J@ 6D E R U @ A6C E E 2 :?8 6>A6C E 6 2 FC R * 3 766 = 5 A= E , @ # - 4@ >A= ?E C 62 2 :?8 :2 R + F2 = :65 2 44@ C :7 5:?8 E % @
)#

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 4.7 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-263
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 100 А
• Power Dissipation Pd: 214 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть