Datasheet IPB072N15N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 А, 150 В, PG-TO263-3 — Даташит

Купить IPB072N15N3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 86 до 335 ₽ 21 предложений от 14 поставщиков OptiMOS?„?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
ЧипСити Россия	IPB072N15N3G Infineon	171 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IPB072N15N3G Infineon	от 260 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IPB072N15N3G	по запросу	Купить
LifeElectronics Россия	IPB072N15N3GE818XT Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 А, 150 В, PG-TO263-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB072N15N3 G
IPP075N15N3 G IPI075N15N3 G
"%&$!"# 3 Power-Transistor
Features Q ' 3 81>>5< >? B < 5< =1< 5F Q H3 5<5>D 5 3 81B HR 9H"[Z# @B 4E3 D ( & < 71D 75 ? Q.

5B < G ? >B 9D 5 R 9H"[Z# I? 5CC 1>3 Q T ? @5B 9 D 1D 5=@5B EB >7 1D 5 Q ) 2 655 < B 514 @< 9 + ? " , 3 ? =@<1>D 1D >7 9 Q * E1<654 13 3 ? B >7 D $ 9 9 49 ?
)#

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 150 В
• On Resistance Rds(on): 5.8 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Корпус транзистора: TO-263
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 100 А
• Power Dissipation Pd: 300 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть