Datasheet IPB075N04L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 50 А, 40 В, PG-TO263-3 — Даташит

Купить IPB075N04L G на РадиоЛоцман.Цены — от 9.42 до 40 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN
AiPCBA Весь мир	IPB075N04LG Infineon	24 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IPB075N04LG Rochester Electronics	27 ₽	Купить
МосЧип Россия	IPB075N04LG Infineon	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IPB075N04LG Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 50 А, 40 В, PG-TO263-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Je]R
% # !
"%&$!"# % .;?6 <> (> ?@
7NJ]ZN[ Q 2 C C 49:? 8 ' ) - .

7 - ' * D G:D @B Q ) AD :J65 D :> 649? @= 7 4@? F6B 6B @8I @B D C Q + E =:65 2 44@B 8 D $ 2 :7 5:? @ Q( 492 ? ? 6== @8:4 = 6F6= Q H = D82 D 492 B H' 9I"[# AB 4D ) ' 46= 6? 6 86 @5E Q/ 6B = @? B :C2 ? 46 ' 9I"[# I @G 6C D Q   F2 =? 496 D D 2 6C65 Q * 3 766 A=D 8 , @" - 4@> A= ? D B 2 :? :2 Q" 2 = @86? 766 2 44@B 8 D # B 5:? @
)#

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• On Resistance Rds(on): 6.3 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Корпус транзистора: TO-263
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 50 А
• Power Dissipation Pd: 56 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть