Datasheet IPB081N06L3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 50 А, 60 В, PG-TO263-3 — Даташит

Купить IPB081N06L3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 48 до 168 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3Pin TO-263 T/R
ChipWorker Весь мир	IPB081N06L3G Infineon	48 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IPB081N06L3G Infineon	73 ₽	Купить
Элитан Россия	IPB081N06L3G Infineon	168 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IPB081N06L3G MOS Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 50 А, 60 В, PG-TO263-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Jf]R
IPB081N06L3 G IPP084N06L3 G
"%&$!"# 3 Power-Transistor
Features R #562 =@C 7 9:89 76BF6? 4J D 49:? 8 2 ? 5 D 4
C C H:E J? 64

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 6.7 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-263
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 50 А
• Power Dissipation Pd: 79 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть