Datasheet IPB08CN10N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 95 А, 100 В, PG-TO263-3 — Даташит

Купить IPB08CN10N G на РадиоЛоцман.Цены — от 90 до 231 ₽ 10 предложений от 8 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 95A I(D), 100V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3
727GS Весь мир	IPB08CN10NG Infineon	от 231 ₽	Купить
ЭлектроПласт Россия	IPB08CN10NG_10 Infineon	по запросу	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	IPB08CN10NG Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IPB08CN10NG Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 95 А, 100 В, PG-TO263-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB08CN10N G IPI08CN10N G IPP08CN10N G
OptiMOSTM2 Power-Transistor
Features · N-channel, normal level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 175 °C operating temperature · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target application
Product Summary V DS R DS(on),max (TO263) ID 100 8.2 95 V m A
· Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification · Halogen-free according to IEC61249-2-21 Type IPB08CN10N G IPI08CN10N G IPP08CN10N G

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 6.1 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-263
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 95 А
• Power Dissipation Pd: 167 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть