Datasheet IPB114N03L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 А, 30 В, PG-TO263-3 — Даташит
Наименование модели: IPB114N03L G
5 предложений от 5 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0114ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | |||
| IPB114N03LG-VB | 142 ₽ | ||
| IPB114N03LG Infineon | по запросу | ||
| IPB114N03LG | по запросу | ||
| IPB114N03LG Infineon | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 А, 30 В, PG-TO263-3
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
Je]R
% % # ! % # !
"%&$!"# %
7NJ]ZN[
b
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 9.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-263
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 30 А
- Power Dissipation Pd: 38 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть
