Datasheet IPB147N03L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 А, 30 В, PG-TO263-3 — Даташит
Наименование модели: IPB147N03L G
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0217ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | |||
IPB147N03LG Infineon | по запросу | ||
IPB147N03LG | по запросу | ||
IPB147N03LG Infineon | по запросу | ||
IPB147N03LG Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 А, 30 В, PG-TO263-3
Краткое содержание документа:
Je]R
% % # ! % # !
"%&$!"# %
7NJ]ZN[ Q 2 C C 49:? 8 ' ) - .
7 - ' * D G:D @B ' - @? >2 H Q ) AD :J65 D :> 649? @= 7 4@? F6B 6B @8I @B D C Q + E =:65 2 44@B 8 D $ 2 :7 5:? @ Q( 492 ? ? 6== @8:4 = 6F6= Q H = D82 D 492 B H' 9I"[# AB 4D ) ' 46= 6? 6 86 @5E Q/ 6B = @? B :C2 ? 46 ' 9I"[# I @G 6C D Q F2 =? 496 B D 2 2 65 Q * 3 766 A=D 8 , @" - 4@> A= ? D B 2 :? :2 Q" 2 = @86? 766 2 44@B 8 D #
B 5:? @ DaYN #* *
( & ! #*
( & !
)#
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 12.3 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: TO-263
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 20 А
- Power Dissipation Pd: 31 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть