Datasheet IPB16CN10N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 53 А, 100 В, PG-TO263-3 — Даташит

Infineon IPB16CN10N G

Наименование модели: IPB16CN10N G

Купить IPB16CN10N G на РадиоЛоцман.Цены 5 предложений от 5 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 100V, 0.0165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3
Кремний Россия и страны СНГ	IPB16CN10NG	по запросу
LIXINC Electronics Весь мир	IPB16CN10NG Infineon	по запросу
Acme Chip Весь мир	IPB16CN10NG Infineon	по запросу
Allelco Весь мир	IPB16CN10NG Infineon	по запросу

Пленочные конденсаторы Hongfa для источников питания и силовой электроники (Материалы вебинара)

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 53 А, 100 В, PG-TO263-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
$ " " $ " "
$ " " $ $ " "
"%&$!"# $ ;B 1 = -: >5 ;= '= >?
7MI[YMZ S )
5: 3 @@7> @A D >> 7> ?3 7H S! J57>7@F F 5: 3 D J' 93 7 97 A " S0 7D > I A @

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 100 В
On Resistance Rds(on): 12.7 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Корпус транзистора: TO-263
Количество выводов: 3
Current Id Max: 53 А
Power Dissipation Pd: 100 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть