Datasheet IPB26CN10N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 35 А, 100 В, PG-TO263-3 — Даташит

Купить IPB26CN10N G на РадиоЛоцман.Цены 6 предложений от 6 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3
Lixinc Electronics Весь мир	IPB26CN10NG Infineon	41 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IPB26CN10NG	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IPB26CN10NG MOS Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IPB26CN10NG Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 35 А, 100 В, PG-TO263-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
$ "  " $ "  "
$ "  " $ $ "  "
"%&$!"#a $ ;B 1 = -: >5 ;= '= >?
7MI[YMZ S )
5: 3 @@7> @A D >> 7> ?3 7H S! J57>7@F F 5: 3 D J' 93 7 97 A " S0 7D > I A @

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 20 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-263
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 35 А
• Power Dissipation Pd: 71 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть