Datasheet IPB50CN10N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 А, 100 В, PG-TO263-3 — Даташит

Купить IPB50CN10N G на РадиоЛоцман.Цены — от 41 до 142 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
Lixinc Electronics Весь мир	IPB50CN10NG Infineon	41 ₽	Купить
727GS Весь мир	IPB50CN10NG Infineon	41 ₽	Купить
Триема Россия	IPB50CN10NG-VB	142 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IPB50CN10NG Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 А, 100 В, PG-TO263-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
$ "  " $ "  "
$ "  " $ $ "  "
"%&$!"# $ ;B 1 = -: >5 ;= '= >?
$= ;0@/?& @9 9 -= D 7MI[YMZ ) 5: 3 @@7> @A D >> 7> ?3 7H S! J57>7@F F 5: 3 D J' 93 7 97 A " S0 7D > I A @

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 38 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-263
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 20 А
• Power Dissipation Pd: 44 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть