Datasheet IPD031N03L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 90 А, 30 В, PG-TO252-3 — Даташит

Купить IPD031N03L G на РадиоЛоцман.Цены — от 41 до 126 ₽ 11 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3Pin TO-252 T/R
727GS Весь мир	IPD031N03LG Infineon	от 49 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IPD031N03LG Infineon	от 49 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IPD031N03LG Infineon	69 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IPD031N03LG Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 90 А, 30 В, PG-TO252-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Type
IPD031N03L G IPS031N03L G
OptiMOS®3 Power-Transistor
Features · Fast switching MOSFET for SMPS · Optimized technology for DC/DC converters · Qualified according to JEDEC for target applications · N-channel, logic level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · Avalanche rated · Pb-free plating; RoHS compliant IPD031N03L G Type · Pb-free plating; RoHS compliant IPS031N03L G
1)

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 2.6 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-252
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 90 А
• Power Dissipation Pd: 94 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть