Datasheet IPD035N06L3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 90 А, 60 В, PG-TO252-3 — Даташит
Наименование модели: IPD035N06L3 G
IPD035N06L3G-VB | 142 ₽ | ||
IPD035N06L3G | по запросу | ||
IPD035N06L3G Infineon | по запросу | ||
IPD035N06L3G Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 90 А, 60 В, PG-TO252-3
Краткое содержание документа:
Jf]R
% # !
$()'#$%
7NJ]ZN[
!"
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 2.7 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-252
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 90 А
- Power Dissipation Pd: 167 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть