Datasheet IPD038N06N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 90 А, 60 В, PG-TO252-3 — Даташит

Купить IPD038N06N3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 68 до 174 ₽ 13 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
ChipWorker Весь мир	IPD038N06N3G Infineon	71 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IPD038N06N3G Infineon	105 ₽	Купить
Триема Россия	IPD038N06N3G	142 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IPD038N06N3G	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 90 А, 60 В, PG-TO252-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IdQ
# ! !
"%&$!"# # : A 0< < & ,9=4 : < =>
6LHZ[XLY P G 5<5>C71C 3 81A G( 9H"[Z# @A 4D C ( & 3 < 5 75 ? 3 P.

5A < F ? >A 9C 5 ( 9H"[Z# H? 5BB1>3 P ' 3 81>>5< >? A =1<< 5E5< P 6 AB
A C 91C > 4AE5B1>4 43 43 ,& ) , ? H>3 53 93 9 6 ? 9 P E1< 85 A 54 1>3 1C P . 5A < F ? >A 9C 5 ( 9H"[Z# H? 5BB1>3 P * D 954 13 3 ? A >7 C $ 1<6 9 49 ?

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 3.1 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Корпус транзистора: TO-252
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 90 А
• Power Dissipation Pd: 188 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть