Datasheet IPD050N03L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 50 А, 30 В, PG-TO252-3 — Даташит

Купить IPD050N03L G на РадиоЛоцман.Цены — от 38 до 78 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Fast switching MOSFET for SMPS Optimized technology for DC/DC converters
ЧипСити Россия	IPD050N03LG Infineon	38 ₽	Купить
Элитан Россия	IPD050N03LG Infineon	78 ₽	Купить
LifeElectronics Россия	IPD050N03LG Infineon	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IPD050N03LG	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 50 А, 30 В, PG-TO252-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Type
IPD050N03L G IPS050N03L G
IPF050N03L G IPU050N03L G
OptiMOS®3 Power-Transistor
Features · Fast switching MOSFET for SMPS · Optimized technology for DC/DC converters · Qualified according to JEDEC for target applications · N-channel, logic level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · Avalanche rated · Pb-free plating; RoHS compliant Type IPD050N03L G IPF050N03L G

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 4.2 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-252
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 50 А
• Power Dissipation Pd: 68 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть