Datasheet IPD053N08N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 90 А, 80 В, PG-TO252-3 — Даташит

Купить IPD053N08N3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 46 до 231 ₽ 12 предложений от 10 поставщиков MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Lixinc Electronics Весь мир	IPD053N08N3G Infineon	от 83 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	IPD053N08N3G Infineon	88 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IPD053N08N3G Infineon	по запросу	Купить
ЭлектроПласт Россия	IPD053N08N3G Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 90 А, 80 В, PG-TO252-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
# ! !
"%&$!"# # : A 0< < & ,9=4 : < =>
6LHZ[XLY Q ' 3 81>>5< >? B < 5< =1< 5F Q H3 5<5>D 5 3 81B H' 9H"[Z# @B 4E3 D ( & < 71D 75 ? Q.

5B < G ? >B 9D 5 ' 9H"[Z# I? 5CC 1>3 Q T ? @5B 9 D 1D 5=@5B EB >7 1D 5 Q ) 2 655 < B 514 @< 9 + ? " , 3 ? =@<1>D 1D >7 9 Q * E1<654 13 3 ? B >7 D $ 9 9 49 ?
)#
a

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 80 В
• On Resistance Rds(on): 4.4 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Корпус транзистора: TO-252
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 90 А
• Power Dissipation Pd: 150 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть