Datasheet IPD105N04L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 А, 40 В, PG-TO252-3 — Даташит

Infineon IPD105N04L G

Наименование модели: IPD105N04L G

Купить IPD105N04L G на РадиоЛоцман.Цены 5 предложений от 5 поставщиков MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3
Кремний Россия и страны СНГ	IPD105N04LG	по запросу
Lixinc Electronics Весь мир	IPD105N04LG Infineon	по запросу
Augswan Весь мир	IPD105N04LG	по запросу
AllElco Electronics Весь мир	IPD105N04LG Infineon	по запросу

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 А, 40 В, PG-TO252-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Je]R
% # !
"%&$!"# % .;?6 <> (> ?@
7NJ]ZN[ Q 2 C C 49:? 8 ' ) - .

7 - ' * D G:D @B Q ) AD :J65 D :> 649? @= 7 4@? F6B 6B @8I @B D C Q + E =:65 2 44@B 8 D $ 2 :7 5:? @ Q( 492 ? ? 6== @8:4 = 6F6= Q H = D82 D 492 B H( 9I"[# AB 4D ) ' 46= 6? 6 86 @5E Q/ 6B = @? B :C2 ? 46 ( 9I"[# I @G 6C D Q F2 =? 496 D D 2 6C65 Q * 3 766 A=D 8 , @" - 4@> A= ? D B 2 :? :2 #* ( & ! DaYN Q * 3 766 A=D 8 , @" - 4@> A= ? D B 2 :? :2
)#

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 40 В
On Resistance Rds(on): 8.8 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
Корпус транзистора: TO-252
Количество выводов: 3
Current Id Max: 40 А
Power Dissipation Pd: 42 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть