Datasheet IPD12CN10N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 67 А, 100 В, PG-TO252-3 — Даташит

Infineon IPD12CN10N G

Наименование модели: IPD12CN10N G

Купить IPD12CN10N G на РадиоЛоцман.Цены — от 101 до 108 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков OptiMOS?„?2 Power-Transistor Features N-channel, normal level Very low on-resistance R DS
ЧипСити Россия	IPD12CN10NG Infineon	101 ₽
AiPCBA Весь мир	IPD12CN10NG Infineon	107 ₽
ЭлектроПласт Россия	IPD12CN10NG Infineon	по запросу
Acme Chip Весь мир	IPD12CN10NG	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 67 А, 100 В, PG-TO252-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
$ " " $ " "
$ " " $ $ " "
"%&$!"# $ ;B 1 = -: >5 ;= '= >?
7MI[YMZ S )
5: 3 @@7> @A D >> 7> ?3 7H S! J57>7@F F 5: 3 D J' 93 7 97 A " S0 7D > I A @

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 100 В
On Resistance Rds(on): 9.3 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Корпус транзистора: TO-252
Количество выводов: 3
Current Id Max: 67 А
Power Dissipation Pd: 125 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть