Datasheet IPD170N04N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 А, 40 В, PG-TO252-3 — Даташит

Купить IPD170N04N G на РадиоЛоцман.Цены — от 21 до 29 ₽ 6 предложений от 6 поставщиков Труба MOS, N-channel Mosfet 20v300v Power Transistor Power Mosfet
ЧипСити Россия	IPD170N04NG Infineon	27 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IPD170N04NG Infineon	29 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IPD170N04NG	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IPD170N04NG Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 А, 40 В, PG-TO252-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IdQ
$  " "
"%&$!"# $ ;B 1 = -: >5 ;= '= >?
7MI[YMZ P 1B B C 89 & ( , - 6 A, & ) , C F9 >7 3 ? P ( @C I54 C 8>? < 7H 6 A 3 ? >E5A5A 9 =9 53 ? ? C B P * D 954 13 3 ? A >7 C $ 1<6 9 49 ? P' 3 81>>5< >? A =1<< 5E5< P G 5<5>C71C 3 81A G( 9H"[Z# @A 4D C ( & 3 < 5 75 ? 3 P.

5A < F ? >A 9C 5 ( 9H"[Z# H? 5BB1>3 P   E1< 85 C C 1>3 5B54 P ) 2 655 @< 9 + ? " , 3 ? =@<1>C A 1C >7 9 C`XM #)  '  ' !
)#

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• On Resistance Rds(on): 14.2 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Корпус транзистора: TO-252
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 30 А
• Power Dissipation Pd: 31 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть