Datasheet IPD200N15N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 50 А, 150 В, PG-TO252-3 — Даташит

Купить IPD200N15N3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 95 до 434 ₽ 19 предложений от 13 поставщиков OptiMOS?„?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
ChipWorker Весь мир	IPD200N15N3G Infineon	95 ₽	Купить
727GS Весь мир	IPD200N15N3G Infineon	от 99 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IPD200N15N3G Infineon	от 434 ₽	Купить
TradeElectronics Россия	IPD200N15N3G Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 50 А, 150 В, PG-TO252-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
# !  ! # !  !
# !  ! # # !  !
"%&$!"# # : A 0< < & ,9=4 : < =>
6LHZ[XLY R (
4 92??6= ?@ C = 6= >2= 6G R I4 6=6?E 6 4 92C I' ;I"[# AC 5F4 E ) ' = 82E 86 @ ! R/ 6C = H @ ?

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 150 В
• On Resistance Rds(on): 16 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-252
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 50 А
• Power Dissipation Pd: 150 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть