Datasheet IPD25CN10N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 35 А, TO252-3 — Даташит

Купить IPD25CN10N G на РадиоЛоцман.Цены — от 43 до 56 ₽ 12 предложений от 10 поставщиков OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated
ЧипСити Россия	IPD25CN10NG Infineon	43 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IPD25CN10NG Infineon	от 46 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IPD25CN10NG	по запросу	Купить
ЗУМ-СМД Россия	IPD25CN10NG Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 35 А, TO252-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
$ "  " $ "  "
$ "  " $ $ "  "
"%&$!"#a $ ;B 1 = -: >5 ;= '= >?
7MI[YMZ S )
5: 3 @@7> @A D >> 7> ?3 7H S! J57>7@F F 5: 3 D J' 93 7 97 A " S0 7D > I A @

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 35 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 0.019 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-252
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Рассеиваемая мощность: 71 Вт
• RoHS: да