Datasheet IPD33CN10N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 27 А, 100 В, PG-TO252-3 — Даташит
Наименование модели: IPD33CN10N G
Купить IPD33CN10N G на РадиоЛоцман.Цены — от 49 до 452 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков MOSFET N-Ch 27A 100V OptiMOS2 TO252 | |||
IPD33CN10NG Infineon | 49 ₽ | ||
IPD33CN10NG Infineon | 49 ₽ | ||
IPD33CN10NG Infineon | по запросу | ||
IPD33CN10NG Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 27 А, 100 В, PG-TO252-3
Краткое содержание документа:
$ " " $ " "
$ " " $ $ " "
"%&$!"#
$ ;B 1 = -: >5 ;= '= >?
7MI[YMZ S )
5: 3 @@7> @A D >> 7> ?3 7H S! J57>7@F F 5: 3 D J'
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 25 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-252
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 27 А
- Power Dissipation Pd: 58 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть