Datasheet IPD33CN10N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 27 А, 100 В, PG-TO252-3 — Даташит

Купить IPD33CN10N G на РадиоЛоцман.Цены — от 25 до 112 ₽ 17 предложений от 10 поставщиков Полевые транзисторы - Одиночные
ChipWorker Весь мир	IPD33CN10NG Infineon	25 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IPD33CN10NG Infineon	109 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IPD33CN10NG Infineon	от 112 ₽	Купить
Augswan Весь мир	IPD33CN10NG Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 27 А, 100 В, PG-TO252-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
$ "  " $ "  "
$ "  " $ $ "  "
"%&$!"# $ ;B 1 = -: >5 ;= '= >?
7MI[YMZ S )
5: 3 @@7> @A D >> 7> ?3 7H S! J57>7@F F 5: 3 D J' 93 7 97 A " S0 7D > I A @

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 25 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-252
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 27 А
• Power Dissipation Pd: 58 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть