Datasheet IPD49CN10N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 53 А, 30 В, PG-TO252-3 — Даташит

Infineon IPD49CN10N G

Наименование модели: IPD49CN10N G

Купить IPD49CN10N G на РадиоЛоцман.Цены Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
Кремний Россия и страны СНГ	IPD49CN10NG	по запросу
Acme Chip Весь мир	IPD49CN10NG Infineon	по запросу

Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 53 А, 30 В, PG-TO252-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB50CN10N G IPD49CN10N G IPI50CN10N G IPP50CN10N G
OptiMOS®2 Power-Transistor
Product Summary Features · N-channel, normal level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 175 °C operating temperature · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target application · Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification Type IPB50CN10N G IPD49CN10N G IPI50CN10N G IPP50CN10N G V DS R DS(on),max (TO252) ID 100 49 20 V m A
Package Marking
PG-TO263-3 50CN10N

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 100 В
On Resistance Rds(on): 37 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Корпус транзистора: TO-252
Количество выводов: 3
Current Id Max: 20 А
Power Dissipation Pd: 44 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть