Datasheet IPD60R520CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-252 — Даташит
Наименование модели: IPD60R520CP
Купить IPD60R520CP на РадиоЛоцман.Цены — от 35 до 354 ₽ 16 предложений от 10 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-252AA, GREEN, TO-252, 3 PIN | |||
| IPD60R520CP (ST-STD13NM60N) STMicroelectronics | 35 ₽ | ||
| IPD60R520CP Infineon | 52 ₽ | ||
| IPD60R520CP Infineon | 55 ₽ | ||
| IPD60R520CP | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, TO-252
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
IPD60R520CP
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Lowest figure-of-merit R ON x Qg · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS @ Tj,max R DS(on),max @ Tj = 25°C Q g,typ 650 V
0.520 24 nC
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 6.8 А
- Current Id Max: 6.8 А
- Drain Source Voltage Vds: 650 В
- On Resistance Rds(on): 520 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Voltage Vds Typ: 650 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-252
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 66 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Тип корпуса: TO-252
- Тип транзистора: Power MOSFET
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
