Datasheet IPD60R600CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-252 — Даташит

Купить IPD60R600CP на РадиоЛоцман.Цены — от 23 до 242 ₽ 20 предложений от 14 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-252AA, GREEN, PLASTIC, TO-252, 3 PIN
Стандарт СИЗ Россия	IPD60R600CP (ST-STD9NM60N) STMicroelectronics	23 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IPD60R600CP Infineon	47 ₽	Купить
Utmel Весь мир	IPD60R600CP Infineon	от 57 ₽	Купить
ЭИК Россия	IPD60R600CP Infineon	143 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-252

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPD60R600CP
CoolMOS® Power Transistor
Features · Lowest figure-of-merit R ON x Qg · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS @ Tj,max R DS(on),max @ Tj =25°C Q g,typ 650 0.6 21 V nC
PG-TO252

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 6.1 А
• Current Id Max: 6.1 А
• Drain Source Voltage Vds: 650 В
• On Resistance Rds(on): 600 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds Typ: 650 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-252
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 60 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Тип корпуса: TO-252
• Тип транзистора: Power MOSFET
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)