Datasheet IPD64CN10N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 17 А, 100 В, PG-TO252-3 — Даташит

Infineon IPD64CN10N G

Наименование модели: IPD64CN10N G

Купить IPD64CN10N G на РадиоЛоцман.Цены Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, GREEN, PLASTIC, TO-252, 3 PIN
Кремний Россия и страны СНГ	IPD64CN10NG	по запросу
Augswan Весь мир	IPD64CN10NG Infineon	по запросу
AllElco Electronics Весь мир	IPD64CN10NG Infineon	по запросу

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 17 А, 100 В, PG-TO252-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
$ " " $ ( " "
"%&$!"# $ ;B 1 = -: >5 ;= '= >?
7MI[YMZ S ( 5: 3 @ @ 7>@ AD 3 >7H ? > 7> S J57> F93 F 5: 3 D J ' ;I"]# BD 5F! ' > 7@ 7 97 A6G ) S0 7D > A@ D ;F @ 57 ' ;I"]# K AI 7EE3 S V AB7D F@ 9 F B7D F D 3 ; 7? 3 G7 S * 4877 > 6 B>F@ 9 , A# - 5A? B> @ F D 73 3 ; ; 3 S + G >; 3 55AD @ 9 F % 3 ;76 8 6; A
)#
b

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 100 В
On Resistance Rds(on): 45 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Корпус транзистора: TO-252
Количество выводов: 3
Current Id Max: 17 А
Power Dissipation Pd: 44 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть